一种基于范德华异质结的非易失光存储单元及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体光存储器技术领域，尤其涉及一种基于范德华异质结的非易失光存储单元及其制备方法。本发明器件包括两个电极、两层石墨烯层以及量子点层；量子点层设置于两层石墨烯层之间，构成石墨烯/量子点/石墨烯的三层垂直异质结构，层与层之间的界面态俘获电荷载流子使得整个非易失光存储单元具有非易失光存储的特性；两电极分别制作在两层石墨烯上。本发明基于层间界面态俘获电子的基本原理实现了单元非易失多级光存储的特性。该非易失光存储单元结构简单，稳定性强，能耗低，能与目前的CMOS工艺兼容，且具有多级存储的特性。