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一种石墨烯晶体管铜离子传感器及其制备方法和应用

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本发明提供了一种石墨烯晶体管铜离子传感器，包括衬底和设置于所述衬底上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述栅极表面固定有碳点。本发明将碳点固定在石墨烯晶体管栅电极表面，碳点能够吸附溶液中的铜离子，从而改变晶体管与样本溶液之间的双电层界面特性，使石墨烯沟道中的电流发生变化，通过检测沟道中的电流变化，可以检测溶液中的微量铜离子；本发明提供的石墨烯晶体管离子传感器的操作电压低于1V，铜离子的最低检测限能够达到10

著录项

公开/公告号CN111220669A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-02

原文格式PDF
申请/专利权人湖北大学;
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申请/专利号CN201811430001.4
发明设计人李金华;范钦;李珊珊;
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申请日2018-11-26
分类号
代理机构
代理人
地址 430063 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
入库时间 2023-12-17 09:04:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-26

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/327 申请日:20181126

实质审查的生效
2020-06-02

公开

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