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一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉

摘要

一种晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉,所述导流筒包括内筒、外筒和设置在所述内筒和所述外筒之间的隔热材料,其中所述内筒的热阻较所述外筒的热阻低。根据本发明的晶体生长炉的导流筒和晶体生长炉,将导流筒设置成包括内筒、外筒和设置在内筒和外筒之间的隔热材料,使外筒的热阻高于内筒的热阻,降低了导流筒上外筒对内筒的传热,从而使内筒的温度降低,有效增加了晶棒表面到导流筒内筒的辐射热传导,从而提升了晶棒的纵向温度梯度;同时,使外筒的温度上升,减少了硅熔体液面蒸发的硅氧化蒸汽(SiOx)在导流筒外筒上凝聚,从而减少了氧化物(SiOx)落入硅液产生杂质而发生多晶化(Dislocation)的现象。

著录项

  • 公开/公告号CN111270301A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海新昇半导体科技有限公司;

    申请/专利号CN201811472539.1

  • 申请日2018-12-04

  • 分类号C30B15/00(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构11336 北京市磐华律师事务所;

  • 代理人董巍;高伟

  • 地址 201306 上海市浦东新区临港新城云水路1000号

  • 入库时间 2023-12-17 08:59:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/00 申请日:20181204

    实质审查的生效

  • 2020-06-12

    公开

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