一种择优生长的ITO透明导电薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种择优生长的ITO透明导电薄膜的制备方法，属于太阳能电池领域。本发明的制备步骤包括清洗衬底、制备硫化锌缓冲薄膜和制备(222)择优取向的ITO薄膜。具体地讲，本发明采用磁控溅射技术，在洁净的玻璃基底上先沉积一层ZnS薄膜，通过控制玻璃基底温度得到具有(111)择优取向的ZnS；然后再通过控制制备工艺沉积ITO，即可得到具有(222)择优取向的ITO薄膜。本发明的择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，通过增加ZnS缓冲层，获得具有(222)择优取向的ITO薄膜，能够有效提高ITO的光电性能。