采用从共享的自旋转矩写入操作电路路径分离的读取操作电路路径的电压切换磁阻随机存取存储器(MRAM)

摘要

公开了一种电压切换磁阻随机存取存储器(MRAM)，该存储器采用与共享的自旋转矩写入操作电路路径分离的读取操作电路路径。该MRAM包括MRAM阵列，其中MRAM阵列包括MRAM位单元行，每个MRAM位单元行包括多个MRAM位单元。MRAM位单元行上的MRAM位单元共享一个公共电极，以为写入操作提供共享的写入操作电路路径。还为每个与写入操作电路路径分离的MRAM位单元提供专用读取操作电路路径。结果，MRAM位单元的读取操作电路路径不会由于MRAM位单元相对于公共电极的不同布局位置而改变。因此，MRAM位单元的读取寄生电阻不会因为它们相对于公共电极的不同耦合位置而彼此不同。