机译:深纳米STT-MRAM的无变化且无干扰的传感电路
机译:在低泄漏电流的低压CMOS工艺中,两个ESD检测电路可提供3倍VDD耐压的I / O缓冲器
机译:高速7.2ns读写随机存取4-Mb嵌入式电阻式RAM(ReRAM)宏,使用耐工艺变化的电流模式读取方案
机译:具有过程变化容限的读出放大器的0.38V V工作STT-MRAM
机译:纳米技术中的超低功耗和耐工艺变化VLSI电路设计
机译:低VDD场景PVT-AWARE STT-MRAM传感电路的研究
机译:低压CmOs工艺中耐高压电力轨道EsD钳位电路的设计