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磁性体与BiSb的层叠构造的制造方法、磁阻存储器、纯自旋注入源

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摘要

磁阻存储器的单元(2)包括包含磁化自由层(12)的MTJ元件(10)和纯自旋注入源(20)。纯自旋注入源(20)包含与磁化自由层(12)连接的BiSb层。通过使面内电流在BiSb层中流动而能够进行磁化自由层(12)的磁化反转。

1. 磁性体与BiSb的层叠构造的制造方法、磁阻存储器、纯自旋注入源 [P] . 中国专利： CN111095530A . 2020-05-01
2. 多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法 [P] . 中国专利： CN101635303A . 2010-01-27
3. MANUFACTURING METHOD FOR MULTILAYER STRUCTURE OF MAGNETIC BODY AND BiSb LAYER, MAGNETORESISTIVE MEMORY, AND PURE SPIN INJECTION SOURCE [P] . 美国专利： US2020279992A1 . 2020-09-03

机译：磁性体和Bisb层的多层结构，磁阻存储器和纯自旋注入源的制造方法
4. Manufacturing method of laminated structure of magnetic material and BiSb, magnetoresistive memory, pure spin injection source [P] . 日本专利： JPWO2019054484A1 . 2020-10-15

机译：磁性材料与BiSb的叠层结构的制造方法，磁阻记忆，纯自旋注入源
5. METHOD FOR MANUFACTURING LAYERED STRUCTURE OF MAGNETIC BODY AND BiSb, MAGNETORESISTIVE MEMORY, AND PURE SPIN INJECTION SOURCE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3683829A1 . 2020-07-22

机译：制造磁体和Bisb的层状结构，磁阻存储器和纯自旋注入源的方法