反应性离子蚀刻装置

摘要

本发明提供一种可在被处理基板的面内整体上得到大致均匀的蚀刻率的低成本且结构简单的反应性离子蚀刻装置。本发明的反应性离子蚀刻装置EM，在台架(4)上设置具有一对电极(42b，42c)的静电卡盘(42)，通过在被处理基板(W)的蚀刻时向该一对电极施加直流电压，使被处理基板静电吸附在静电卡盘上，通过第一输出线(L1)与台架连接并对被处理基板施加偏置电位的高频电源(E2)，其通过第二输出线(L2)与一对电极连接并与直流电压重叠地施加高频电位，在第一输出线和第二输出线上分别夹设第一电容器(C1)和第二电容器(C2)，第一电容器与第二电容器的静电容量比设置在0.25～25的范围内。