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公开/公告号CN110987754A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-10
原文格式PDF
申请/专利权人 山东科技大学;
申请/专利号CN201911188091.5
发明设计人 李秉芮;井上雅弘;满天雷;杨满征;李书波;王伟;陈凤梅;刘娜;
申请日2019-11-28
分类号
代理机构青岛锦佳专利代理事务所(普通合伙);
代理人邵朋程
地址 266590 山东省青岛市黄岛区前湾港路579号
入库时间 2023-12-17 08:21:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-05
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N15/08 申请日:20191128
实质审查的生效
2020-04-10
公开
机译: 晶片处理反应器的原位温度测量方法和晶片处理反应器的原位温度测量系统
机译: 使用相同的原位绝缘测量装置和原位绝缘测量方法
机译: 使用阻抗的薄膜厚度的原位测量装置,原位测量方法及其记录介质
机译:实际原位红外光谱测量方法(2)电位差测量方法
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机译:使用相移环掩模进行原位像差测量方法的散焦测量方法
机译:由由壳聚糖和导电聚合物组成的薄膜中的薄膜的质量点的原位合成中获得的纳米分解=从壳聚糖和导电的复合薄膜中出于原位合成CDRSE的原位合成中获得的纳米复合材料
机译:原位测量方法为CO
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