一种结晶温度可控的升华-再结晶型质谱成像基质沉淀装置和方法

摘要

本发明涉及一种结晶温度可控的升华‑再结晶型质谱成像基质沉淀装置和方法，包括升华容器、冷却管道、回流管道、抽真空装置及升华容器内部的沉积玻片、样品架、基质托盘、制冷元件、加热元件，加热元件放置在升华容器的底部，基质托盘设置在加热元件的顶部，沉积玻片通过样品架固定在基质托盘的正上方，样品架的顶部放置制冷元件，冷却管道、回流管道分别与制冷元件连接，抽真空装置与升华容器连接。精确地影响基质沉积的主要变量，确保基质沉积更好的可重复的条件。沉积玻片表面的基质沉积较为均匀，避免了结晶过程中的移位现象。