公开/公告号CN111106002A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-05
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201910872991.5
发明设计人 李中杰;
申请日2019-09-16
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人龚诗靖
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
入库时间 2023-12-17 08:13:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/306 申请日:20190916
实质审查的生效
2020-05-05
公开
公开
机译: 半导体结构蚀刻溶液和使用相同蚀刻溶液制造半导体结构的方法
机译: 半导体结构蚀刻溶液和使用相同蚀刻溶液制造半导体结构的方法
机译: 用于蚀刻金属层的蚀刻溶液,使用该蚀刻溶液的蚀刻方法以及使用该蚀刻溶液制造半导体产品的方法