一种在人工反铁磁结构上利用低电压调控RKKY的方法

摘要

本发明公开了一种在人工反铁磁结构上利用低电压调控RKKY的方法，包括：在柔性衬底上依次生长Ta层和人工反铁磁结构，改变非磁性层的厚度，非磁性层厚度的变化使得材料在铁磁层与反铁磁层之间转化，观测其厚度依赖特性；对在柔性衬底上生长的Ta层、人工反铁磁结构上做应力测试，对不同曲率下的材料测试磁滞回线并观察其回复性；用离子液体对Si衬底上的材料加电压(≤4V)调控，对柔性衬底上的材料在不同曲率下加电压调控，并观测磁滞回线的变化。该方案成功实现了人工反铁磁体在电压调控下铁磁、反铁磁状态的改变以及单、双、三电滞回线的转换，同时保持了良好的回复性。