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超高温远端温度测量校准方法、测量校准电路及介质

摘要

本发明提供了一种超高温远端温度测量校准方法、测量校准电路及介质。利用集电极和基极短接的分立晶体管(130),包括测量步骤、输出转换步骤以及高温校准步骤;本发明使用分立晶体管检测远端温度,当温度高于150℃时,根据检测结果,使用测温芯片内部非线性高温校准电路进行温度补偿,在‑50℃‑190℃区间内,最终温度误差(‑0.5℃,+2℃),能够满足绝大多数测温应用。本发明相较于传统的远端测温方案,最大的优点是扩大了温度测量范围,不需要使用昂贵的铂电阻和复杂的热电偶,只利用单片CMOS芯片和分立晶体管即可测量高达190℃温度,降低了系统成本,扩大了应用范围。

著录项

  • 公开/公告号CN111189561A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-05-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海申矽凌微电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201911149359.4

  • 发明设计人 张辉;

    申请日2019-11-21

  • 分类号G01K15/00(20060101);

  • 代理机构31334 上海段和段律师事务所;

  • 代理人李佳俊;郭国中

  • 地址 201108 上海市闵行区虹梅南路2588号1幢A320室

  • 入库时间 2023-12-17 08:00:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01K15/00 申请日:20191121

    实质审查的生效

  • 2020-05-22

    公开

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