公开/公告号CN111200013A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-26
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院;
申请/专利号CN201811372283.7
申请日2018-11-16
分类号
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人王茹
地址 330000 江西省南昌市汇仁大道266号小蓝创新创业基地15号楼
入库时间 2023-12-17 08:00:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/423 申请日:20181116
实质审查的生效
2020-05-26
公开
公开
机译: GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译: 具有集成保护器件的GaN基功率器件:结构和方法
机译: 具有集成保护器件的GaN基功率器件:结构和方法