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公开/公告号CN111099586A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-05
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院金属研究所;
申请/专利号CN201911184872.7
发明设计人 杨兵;姜辛;喻彪;黄楠;刘鲁生;
申请日2019-11-27
分类号
代理机构沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张志伟
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
入库时间 2023-12-17 07:47:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-29
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B32/26 申请日:20191127
实质审查的生效
2020-05-05
公开
机译: 硅空位掺杂纳米金刚石用于分子和细胞成像
机译: 硅空位掺杂纳米金刚石,用于分子和细胞成像
机译:嵌入硅空位色心的CVD金刚石纳米柱的生长
机译:低应变异质外延纳米金刚石:硅空位色心的制备和光致发光
机译:CVD纳米金刚石中硅空位色心的窄带宽高亮度单光子发射
机译:金刚石中氮空位色心的纳米光子器件中的主题
机译:强窄带发光从硅空位色心在空间定位子10纳米纳米金刚石
机译:金刚石中硅空位色心的电子结构
机译:在爆轰纳米金刚石粉末热退火过程中纳米金刚石 - 碳离子转化的原位拉曼光谱。