具有源极镇流的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种集成器件和制作所述集成器件的方法。该集成器件包含多个平面金属氧化物半导体场效应晶体管，后者具有于多个源极区的第一源极区中形成的第一接触区，以及于多个源极区的第二源极区中形成的第二接触区。第一接触区和第二接触区具有掺杂第二导电类型的源极区相应部分，且第一接触区和第二接触区经由结型场效应晶体管区域分离；其中结型场效应晶体管区域的一个平面尺寸长于另一个，且第一接触区和第二接触区经由较长平面尺寸分离。结型场效应晶体管区域通过导电接触至少一个接触区的源极区和体区，界定于对应较长平面尺寸的至少一侧。