BSI图像传感器及其制作方法

摘要

本发明提供一种BSI图像传感器及其制作方法，所述BSI图像传感器的制作方法用于在像素之间的隔离阱中形成复合隔离层，首先利用湿法蚀刻去除隔离阱内的自然氧化层，再利用低温等离子体氧化工艺形成基底氧化层并在所述基底氧化层上形成金属氧化层以填充所述隔离阱。由于利用低温等离子体氧化工艺形成的基底氧化层相较于自然氧化层更为致密，有助于后续金属氧化层的沉积，从而可以起到较佳的隔离效果，提高BSI图像传感器的光学性能。本发明提供的BSI图像传感器包括在像素之间的隔离阱中形成的复合隔离层，复合隔离层中的基底氧化层采用低温等离子体氧化形成，结构更为致密，使得隔离效果更佳。