一种半导体器件的选择性刻蚀方法及BSI图像传感器制作方法

摘要

本申请提供了一种选择性刻蚀方法及BSI图像传感器的制作方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤：用HNA溶液（HF-HNO3-CH3COOH）刻蚀掺杂型硅，反应预定时间后形成亚硝酸根离子浓度为C1的刻蚀液；用该刻蚀液选择性刻蚀待刻蚀的半导体器件，其中，刻蚀待刻蚀半导体器件所需的亚硝酸根离子初始浓度为C0，刻蚀液的C1大于C0，且HNA溶液为氢氟酸、硝酸及醋酸形成的混合溶液。由于本申请提供的选择性刻蚀方法具有刻蚀速率均匀的优点，将其应用到半导体器件，尤其是BSI图像传感器的选择性刻蚀时，可实现刻蚀后半导体器件的厚度均匀性。