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单片串联连接的激光器二极管阵列及其形成方法

摘要

本发明涉及一种单片串联连接的激光二极管阵列及其形成方法,其中所述阵列形成在包含多个离散导电区的非传导衬底上。所述阵列中的每一激光二极管安置在不同传导区上使得每一激光二极管的激光腔与其相应传导区光学隔离,借此避免所述激光腔中由于与高度掺杂传导材料的相互作用的光学损耗。每一传导区经配置以延伸超过其相应激光二极管结构的横向范围。所述阵列的邻近激光二极管之间的电连接通过形成传导迹线进行,所述传导迹线从所述激光二极管中的一者的顶部接点延伸到另一激光二极管安置在其上的所述传导区。

著录项

  • 公开/公告号CN110943369A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 阿尔戈人工智能有限责任公司;

    申请/专利号CN201910894478.6

  • 申请日2019-09-20

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人林斯凯

  • 地址 美国宾夕法尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 07:13:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-31

    公开

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