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公开/公告号CN110678986A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-10
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN201880032182.7
发明设计人 刘作光;范淑贞;吴恒;山下典洪;
申请日2018-04-19
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人边海梅
地址 美国纽约
入库时间 2023-12-17 07:00:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-02-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/66 申请日:20180419
实质审查的生效
2020-01-10
公开
机译: 垂直晶体管自对准触点形成的嵌入式底部金属触点
机译:研究用于InGaAs金属氧化物半导体场效应晶体管中自对准源极/漏极触点形成的Pd-InGaAs
机译:SiN_x封顶对具有自对准栅的In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的源/漏触点形成的影响
机译:Ge纳米线金属氧化物场效应晶体管的铜-锗化物触点的原子尺度对准
机译:1.5-NM节点围绕栅极晶体管(SGT)-SRAM单元,带有交错柱的闸门,闸门,底部触点和支柱的自对准过程
机译:金属双层/氧化物/硅,高k氧化物/硅以及垂直硅纳米线的“端对端”金属触点的弹道电子发射显微镜和内部光发射研究。
机译:氦离子轰击增强了最终触点从而改善了石墨烯-金属触点
机译:ALGAN / GAN高电子迁移率晶体管的无芳型嵌入式欧姆触点:蚀刻化学和金属方案的研究
机译:形成无缺陷的金属/半导体触点。