提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品

摘要

本发明公开了一种提升平面IGBT良率的方法及制造其的中间产品，其中，方法包括对硅片上的多晶硅层进行掺杂；在经掺杂的所述多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层。本发明在多晶硅层的相关工艺完成后，在多晶硅层的表面上生长第一薄氧化层，从而在P型结高温推进的过程中，能够避免硅片正反面的多晶硅层里高浓度N型杂质扩散到P型深结区中，也就避免了由于N型杂质的引入，所导致的较高的反向击穿漏电流以及较低的反向击穿电压，提高了平面IGBT的良率。