一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法

摘要

本发明公开一种实现低导通电阻的增强型氮化镓晶体管的方法，该氮化镓晶体管包括硅衬底；依次设于衬底上的氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层；与铝镓氮势垒层相接触的源极和漏极；设于铝镓氮势垒层上除源极漏极以外区域的钝化层；刻蚀掉栅下的钝化层和部分栅下铝镓氮势垒层后形成凹槽结构的栅极。栅极第一层为p型氧化钛，第二层为金属层，p型氧化钛作为栅介质，使得零栅压时耗尽栅极下方的二维电子气，实现增强型的金属绝缘体半导体场效应晶体管结构，同时具有较低的漏电和较高的击穿电压。