机译:确定用于配电电路的增强模式氮化镓HEMT的单事件效应应用要求
机译:增强型氮化镓FET系列增加了100V,16mΩ功率晶体管
机译:太赫兹应用氮化镓高电子迁移率晶体管的子带间器件建模
机译:功率转换器应用中增强模式氮化镓场效应晶体管的损耗建模
机译:高功率应用的氮化铝镓/氮化镓HEMT:晶体管设计问题和工艺开发。
机译:具有厚铜金属化特性的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管用于Ka波段应用的功率密度为8.2 W / mm
机译:高功率应用氮化镓基高电子迁移晶体管的野外板效应建模