一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线基超级电容器

摘要

本发明纳米材料技术领域，涉及一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线基超级电容器。所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液，将生长有高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的碳膜厚度为3‑6nm。本发明采用高度石墨化的超薄碳膜包覆SiC纳米线作为超级电容器的电极材料，不仅提高了超级电容器的比电容，同时保持了电极材料良好的循环寿命等其它电化学性能参数。