用于电连接堆叠式晶体管的源极/漏极区域的互连技术

摘要

堆叠式晶体管结构在上晶体管和下晶体管的源极/漏极区域之间具有导电互连。在一些实施例中，互连至少部分地由沉积在上晶体管的源极/漏极区域中的高掺杂外延材料提供。在这种情况下，从上晶体管的沟道区域的半导体材料的暴露部分或与上晶体管的沟道区域相邻的半导体材料的暴露部分施加外延材料，并且该外延材料向下延伸到凹陷部中，该凹陷部暴露下晶体管的源极/漏极接触部结构。外延源极/漏极材料直接接触下晶体管的源极/漏极接触部结构，以提供互连。在其他实施例中，仍然从沟道区域的暴露半导体材料或邻近沟道区域的暴露半导体材料施加外延材料且该外延材料向下延伸到凹陷部中，但无需接触下接触部结构。相反，含金属的接触部结构穿过上源极/漏极区域的外延材料并接触下晶体管的源极/漏极接触部结构。