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双传输门及用于双传输门的双规则集成电路布局

摘要

本发明的实施例公开了双传输门和用于双传输门的各种示例性集成电路布局。集成电路布局表示双高度集成电路布局,也称为双规则集成电路布局。这些双规则集成电路布局包括电子器件设计基板面的多行中的第一组行,和电子器件设计基板面的多行中的第二组行,以容纳半导体堆叠件的第一金属层。第一组行可以包括诸如第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的第一对CMOS晶体管,并且第二组行可以包括诸如第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的第二对CMOS晶体管。这些示例性集成电路布局公开了设置在半导体堆叠件的氧化物扩散(OD)层、多晶硅层、金属扩散(MD)层、第一金属层和/或第二金属层内的各种几何形状的各种配置和布置。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/687 申请日:20181229

    实质审查的生效

  • 2020-01-07

    公开

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