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一种准II型能带结构量子点及其制备方法

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本发明公开了一种准II型能带结构量子点，包括核量子点和壳量子点；所述核量子点包括CuInS2，所述壳量子点包括CdS；所述量子点的准II型能带可调控。本发明的制备方法合成工艺简单，得到的量子点好、单分散性好及稳定性强，且重复性好，可人为地调节其能带结构。

著录项

公开/公告号CN110643348A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-03

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201910911832.1
发明设计人王昌猛;王志明;童鑫;余鹏;马翠苹;
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申请日2019-09-25
分类号C09K11/02(20060101);C09K11/62(20060101);C09K11/56(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);C25B1/04(20060101);C25B11/06(20060101);H01M14/00(20060101);
代理机构51237 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李华;温黎娟
地址 610054 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-12-17 05:56:34

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/02 申请日:20190925

实质审查的生效
2020-01-03

公开

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