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一种含卤素原子取代噻吩基稠噻唑结构的共轭聚合物及其应用

摘要

本发明属于共轭聚合物以及高分子光电功能材料的技术领域,具体涉及一种含卤素原子取代噻吩基稠噻唑结构的共轭聚合物及其应用。本发明的含卤素原子取代噻吩基稠噻唑结构的共轭聚合物采用了卤素原子和氮杂原子取代,获得了更强的吸电子能力,使得聚合物具有更低的HOMO、LUMO能级,有机会成为一系列高载流子迁移效率的、低HOMO能级的P‑型聚合物材料,具有高强度刚性的共轭平面,能够通过大π键的离域作用形成高度有序以及高载流子迁移速率的聚合物薄膜,不仅提升聚合物太阳能电池的载流子传输效率,还优化电池的填充因子,可以作为有机太阳能电池活性层的给体材料,使得太阳能电池器件获得较高的开路电压。

著录项

  • 公开/公告号CN110734540A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-01-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南师范大学;

    申请/专利号CN201910992788.1

  • 发明设计人 刘升建;陈家乐;曹智雄;蔡跃鹏;

    申请日2019-10-17

  • 分类号

  • 代理机构广州专理知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张凤

  • 地址 510631 广东省广州市天河区中山大道西55号

  • 入库时间 2023-12-17 05:22:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08G61/12 申请日:20191017

    实质审查的生效

  • 2020-01-31

    公开

    公开

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