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一种PbS/ZnS核壳结构量子点的原位合成方法

摘要

本发明涉及半导体量子点的的原位合成领域,应用透明导电玻璃(TCO)、二氧化钛等材料为基体,通过旋涂辅助的连续离子层吸附与反应法可以在基体上原位合成PbS/ZnS核壳结构量子点。本发明以铅离子前驱体溶液为铅源,硫离子前驱体溶液为硫源,锌离子前驱体溶液为锌源,通过调控工艺参数可以精确控制量子点尺寸,工艺重复性高,量子点稳定性好。相比于目前主流的量子点合成工艺,本发明具有原料价格低廉,制备工艺简单便捷,参数容易调控,能够在开放环境下操作,易于机械化操作等优势,因而易于产业化生产。本发明所制备的PbS/ZnS核壳结构量子点能够应用于太阳能电池、发光二极管、传感器以及光电探测器等诸多领域。

著录项

  • 公开/公告号CN110878202A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆大学;

    申请/专利号CN201911099903.9

  • 发明设计人 孙立东;张龙飞;靳宇;

    申请日2019-11-12

  • 分类号

  • 代理机构重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人王翔

  • 地址 400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

  • 入库时间 2023-12-17 05:22:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C09K11/02 申请日:20191112

    实质审查的生效

  • 2020-03-13

    公开

    公开

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