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光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种光掩模设计方法以及使用光掩模制造半导体器件的方法。在设计光掩模的方法中,作为显影仿真目标的显示图案被分割成多个子显示图案,所述子显示图案被分别地指定有彼此不正交的多个正交坐标系。通过在与被指定给子显示图案的正交坐标系的坐标轴平行的方向上移动该子显示图案的边,来对该多个子显示图案中的每个执行基于模型的OPC(光学邻近修正)。

著录项

  • 公开/公告号CN101526735B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 瑞萨电子株式会社;

    申请/专利号CN200910118262.7

  • 发明设计人 川上幸也;

    申请日2009-03-03

  • 分类号

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙志湧

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-04-29

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 1/36 授权公告日:20121017 终止日期:20140303 申请日:20090303

    专利权的终止

  • 2012-10-17

    授权

    授权

  • 2010-11-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/14 申请日:20090303

    实质审查的生效

  • 2009-09-09

    公开

    公开

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