提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用

摘要

本公开的各实施例涉及提高低电源电压环境下SRAM稳定性的字线欠驱动的脉冲应用。耦合到存储器单元的字线与在存储器单元处执行读/写操作相关地被选择。在所选择的字线上断言字线信号。字线信号的断言具有前沿和后沿，并且在前沿和后沿之间具有一系列字线欠驱动脉冲。每个字线欠驱动脉冲使字线电压从第一电压水平下降到第二电压水平，然后从第二电压水平上升到第一电压水平。第一和第二电压水平都大于存储器单元的地电压。