一种常温常压二氧化硅CVD装置

摘要

本发明提出一种用四氯化硅作为化学气相沉积(CVD)源的常温常压二氧化硅CVD装置，该装置使用过程中用氮气分别将四氯化硅和水以气态的形式携带至放有物件的CVD室内，并在其中发生化学反应，生成二氧化硅，从而可以在平坦或者弯曲的物件表面以及多孔结构孔道表面沉积致密、厚度可控的二氧化硅膜。