公开/公告号CN104321878A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 赛普拉斯半导体公司;
申请/专利号CN201380016893.2
申请日2013-03-15
分类号H01L29/792(20060101);
代理机构11262 北京安信方达知识产权代理有限公司;
代理人张瑞;郑霞
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 04:53:00
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-03
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/792 申请公布日:20150128 申请日:20130315
发明专利申请公布后的驳回
2019-06-14
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/792 登记生效日:20190528 变更前: 变更后: 申请日:20130315
专利申请权、专利权的转移
2015-02-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/792 申请日:20130315
实质审查的生效
2015-01-28
公开
公开
机译: 具有多个氮氧化物层的氧化物 - 氮化物氧化物叠层
机译: 具有多个氮氧化物层的氧化物 - 氮化物氧化物叠层
机译: 具有多个氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物叠层