在氧化铝基片表面直接生长碳纳米螺旋或碳纳米球的方法

摘要

本发明公开了一种在氧化铝基片表面直接生长碳纳米螺旋或碳纳米球的方法。本发明以乙炔作为碳源，利用高温裂解的方法，通过调控反应温度，实现了在无过渡族金属的催化作用下，在氧化铝基片上可控地合成出高选择性的碳纳米螺旋或碳纳米球，很好地解决了以往由于过渡族金属催化剂的存在而带来的该种功能材料在电子学领域研究的工艺技术难题，并大大地简化了实验过程和成本。为了该种材料的电子学领域研究和产品开发奠定了坚实的实验基础。本表明具有很好的重复性、操作简单且环境友好，拓宽了该类型在纳米器件领域的研究和潜在性的应用。本发明方法简单，使用效果好。