法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-14
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0687 申请公布日:20150211 申请日:20130801
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-12-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0687 申请日:20130801
实质审查的生效
2015-02-11
公开
公开
机译: 形成可用于制造半导体的氮化铟镓的步骤包括:以特定的生长速率部分分解含氮的前驱物以形成氮离子,并分解III族前驱物以形成铟和镓离子。
机译: 半导体器件,例如在场效应晶体管中,包括铝-镓-铟-氮层,铝-镓-氮中间层和另一个铝-镓-铟-氮层
机译: 用于制造铜-铟-镓-硒型太阳能电池的半导体液体材料的活性层沉积方法,包括在经过摩擦步骤的由铟和镓制成的支撑层上沉积活性层