SOI时钟双边沿静态D触发器

摘要

本发明公开了一种SOI时钟双边沿静态D触发器，包括：上通道和下通道两条数据通道，所述上通道包括N型MOS管TN1、TN2，反相器INV1、INV2、INV3以及CMOS传输门TG1；所述下通道包括N型MOS管TN3、TN4，反相器INV2、INV3、INV4以及CMOS传输门TG2。本发明提出了一种基于SOI的时钟双边沿静态D触发器。实验数据显示，和体硅工艺实现的CMOS器件相比，SOI工艺实现的电路可以减小功耗达81.25％。与现有的三种触发器相比，能节省功耗达71.58％。而且相较于单边沿触发器，在同样的时钟频率下能够使得输入处理速率加快一倍。