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一种偶极环磁铁反应腔电弧的监测方法

摘要

本发明公开一种偶极环磁铁反应腔电弧的监测方法,该方法包含以下步骤:1、检测反应腔等离子体电压;2、求前后两秒之间反应腔等离子体电压的差值;3、绘制并实时显示每片晶圆工艺过程中的反应腔等离子体电压差值跟踪图;4、判断反应腔等离子体电压每间隔两秒的差值是否大于阈值,若是,则偶极环磁铁反应腔发生电弧,并停止工艺进行,若否,则继续进行工艺。本发明通过等离子体电压差值计算,绘制等离子体电压差值跟踪图,能及时探测到晶圆或设备电弧的发生,从而降低晶圆破损的潜在危险,本发明操作简单、效果明显。

著录项

  • 公开/公告号CN104253062A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201310266358.4

  • 发明设计人 吴敏;王旭东;

    申请日2013-06-28

  • 分类号

  • 代理机构上海信好专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张静洁

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2023-12-17 02:39:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-05-03

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/66 申请公布日:20141231 申请日:20130628

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2015-01-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20130628

    实质审查的生效

  • 2014-12-31

    公开

    公开

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