紫外线辅助的保形膜沉积方法

摘要

本发明描述了用于在衬底上制备氮化硅(SiN)材料膜和其他含硅膜的方法，其他含硅膜包括含碳和/或含氧膜，例如，SiCN(也被称为SiNC)、SiON和SiONC膜。根据各种实施方式，所述方法涉及电磁辐射辅助激活一种或多种反应物。在某些实施方式中，例如，所述方法涉及紫外线(UV)激活气相胺共反应物。所述方法可用于在低于约400℃的温度下沉积含硅膜，包括SiN和SiCN膜。