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一种用于SiC外延的感应加热装置

摘要

本发明涉及半导体设备感应加热装置,具体涉及一种用于SiC外延设备的感应加热装置,包括石墨盘和石墨盘下方的感应线圈,所述感应线圈为等螺距的平面螺旋型线圈,且感应线圈与石墨盘平行,所述感应线圈底端安装多组用于调节感应线圈与石墨盘之间距离的距离调节机构,每组距离调节机构包括多根沿感应线圈径向安装在每圈螺旋线底端的调节杆、设在调节杆底端的调节杆安装板。本发明所述用于SiC外延的感应加热装置可以实现SiC外延工艺所需的高温,并且通过旋转调节杆调节感应线圈与石墨盘之间的距离来保证温度场的均匀性。

著录项

  • 公开/公告号CN104152985A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410393930.8

  • 发明设计人 胡凡;陈特超;

    申请日2014-08-12

  • 分类号C30B25/10(20060101);C30B29/36(20060101);C23C16/458(20060101);C23C16/32(20060101);

  • 代理机构43113 长沙正奇专利事务所有限责任公司;

  • 代理人马强;陈介雨

  • 地址 410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号

  • 入库时间 2023-12-17 02:29:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-08

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B25/10 申请公布日:20141119 申请日:20140812

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-12-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/10 申请日:20140812

    实质审查的生效

  • 2014-11-19

    公开

    公开

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