一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法

摘要

本发明公开了一种基于砷化镓工艺的L波段混沌电路及其设计方法，所述混沌电路包括：HBT，采用共基极连接，作为混沌信号源中的增益元件；谐振网络，连接HBT的输出端，产生混沌信号；电流源，连接HBT的发射极。具体的设计方法包括步骤：建立电路的数学模型；计算具有寄生电容的电路状态方程；提取状态参数和控制参数；模型仿真。本发明采用用寄生电容较小的砷化镓工艺HBT作为混沌信号源中的增益元件，减小寄生电容对混沌电路工作状态的影响；在电路中加入了射级跟随器，减少外界微扰对电路状态的影响；电流源用镜像电流源构成，提高了电路的稳定性；单片微波集成电路具有电路损耗小、频带宽、动态范围大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。