HDD用玻璃基板的制造方法、HDD用玻璃基板以及HDD用磁记录介质

摘要

本发明提供一种即使用于搭载在具备DFH头机构的HDD的HDD用磁记录介质，也能够抑制头碰撞发生的HDD用玻璃基板的制造方法、HDD用玻璃基板以及HDD用磁记录介质。HDD用玻璃基板的制造方法包括将玻璃基板浸渍于化学强化处理液以便对玻璃基板实施化学强化处理的化学强化工序，在化学强化工序中，改变浸渍于化学强化处理液的玻璃基板在化学强化处理液中的姿势、使化学强化处理液的温度分布均匀化、以及/或者搅拌化学强化处理液，以使化学强化工序前后的玻璃基板的周向的TIR的增加量为0.5μm以下。

说明书

技术领域

本发明涉及一种HDD用玻璃基板的制造方法、HDD用玻璃基板以及HDD用磁记录 介质。

背景技术

一般，作为具有利用磁、光、光磁等的性质的记录层的信息记录介质的代表性的记录 介质已知有HDD(hard disk drive：硬盘驱动器)用磁记录介质。作为用于制造HDD用 磁记录介质的HDD用基板，以往广泛使用铝基板。但是，近年来伴随着为了提高记录密 度降低磁头悬浮量的要求，将能够实现磁头悬浮量降低的玻璃基板用作HDD用基板的比 例在增加，这是因为玻璃基板与铝基板相比表面平滑性优良，并且表面缺陷少。

搭载于笔记本型个人计算机等移动设备的HDD用磁记录介质需要使用耐冲击性的基 板，因此，例如专利文献1所公开的那样，常用通过实施化学强化处理提高了耐冲击性 的玻璃基板。

但是，近年来，高密度记录化进展，预计会出现例如2.5英寸的1张记录介质的记录 容量为500GB、面记录密度为630Gb/平方英寸以上的HDD用磁记录介质。随之，头机 构的改进也在进展，称为DFH(dynamic flying height：动态飞行高度)的头机构已为公 知。DFH是在磁头的安装位置使用特殊的金属，通过金属的热膨胀使磁头向记录介质突 出微小距离的技术。在这种DFH头机构中，磁头与记录介质的间隙小至几nm左右，容 易发生因磁头对记录介质表面的跟踪不良引起的头碰撞(head crash)。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开公报特开2001-167427号

发明内容

本发明的目的在于提供一种即使用于如搭载在具备DFH头机构的HDD上那样的、 面记录密度高的HDD用磁记录介质，也能够抑制头碰撞发生的HDD用玻璃基板的制造 方法、利用该制造方法制造的HDD用玻璃基板以及使用该HDD用玻璃基板的HDD用 磁记录介质。

即，本发明一个方面涉及HDD用玻璃基板的制造方法，该制造方法包括将玻璃基板 浸渍于化学强化处理液，以便对玻璃基板实施化学强化处理的化学强化工序，其中，使 化学强化工序前后的玻璃基板的周向的TIR(total indicated runout：总指示偏差量)的增 加量为0.5μm以下。

本发明另一个方面涉及利用上述的HDD用玻璃基板的制造方法制得的HDD用玻璃 基板。

本发明另外一方面涉及在上述的HDD用玻璃基板的主表面上形成记录层而制得的 HDD用磁记录介质。

上述以及其它本发明的目的、特征以及优点会通过以下详细的记载和附图变得清楚。

附图说明

图1是本发明的实施方式所涉及的HDD用玻璃基板的制造工序图。

图2是表示第1及第2研磨工序中使用的双面研磨机的主要部的结构的局部侧视图。

图3是沿着图2的III-III线的向视图，是下平板和支架的俯视图。

图4是表示第1抛光工序中使用的奥斯卡抛光机的主要部的结构的纵剖视图。

图5(a)是配置有松缓地嵌合了玻璃基板的环状夹具的奥斯卡抛光机的下抛光盘的俯视 图，图5(b)是松缓地嵌合了玻璃基板的环状夹具的放大水平剖视图。

图6(a)、图6(b)、图6(c)是表示奥斯卡抛光抛光机的动作的俯视图。

图7(a)是用于在化学强化工序中支撑玻璃基板的支架的立体图，图7(b)是支架的侧视 图。

图8(a)、图8(b)、图8(c)、图8(d)是在以往的化学强化工序中进行的化学强化处理的 流程图。

图9(a)是表示化学强化处理前的玻璃基板的表面形状的立体图，图9(b)是表示进行了 以往的化学强化处理后的玻璃基板的表面形状的立体图。

图10(a)是化学强化处理前的玻璃基板主表面的高低映射图(map)，图10(b)是进行了 以往的化学强化处理后的玻璃基板主表面的高低映射图，图10(c)是将化学强化处理前后的 玻璃基板的周向的TIR进行比较表示的说明图。

图11(a)、图11(b)、图11(c)、图11(d)、图11(e)是本发明的实施方式所涉及的化学 强化工序中进行的化学强化处理(具体方法之一)的流程图。

图12(a)、图12(b)、图12(c)是用于说明通过具体的方法之一得到的作用的玻璃基板 主表面的高低映射图。

图13(a)、图13(b)、图13(c)、图13(d)是在本发明的实施方式所涉及的化学强化工序 中进行的化学强化处理(具体方法之二及之三)的流程图。

图14(a)、图14(b)是用于说明通过具体方法之二或之三得到的作用的玻璃基板主表面 的高低映射图。

图15是本发明的实施方式所涉及的HDD用玻璃基板的立体图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本发明的实施方式。但本发明并不限定于该实施方式。

本发明人着眼于在HDD的运行中，由于磁头在记录介质的周向上的旋转速度与在记 录介质的径向上移动的移动速度相比足够大，因此，为了抑制头碰撞的发生，重要的是抑 制记录介质的周向的表面状态的变动。而且，基于该观点，发现作为记录介质的表面的平 坦度的指标的TIR(total indicated runout)在记录介质的周向上小是有效的。然后，本发 明人得出为了耐冲击性的提高等而进行的化学强化处理使玻璃基板的周向的TIR恶化的 见解而完成了本发明。

并且，本发明人还得出如下见解而完成了本发明，即，化学强化处理使玻璃基板的周 向的TIR恶化的原因在于，浸渍玻璃基板的化学强化处理液的温度偏差、浓度偏差或异物 的混入等、包围玻璃基板的环境由于各种要因不同而不一样，因此化学强化处理前后的玻 璃基板的表面形状不均匀地变化。

<HDD用玻璃基板的制造方法>

参照图1所示的工序图来说明HDD用玻璃基板的制造方法。

[玻璃熔融工序]

首先，在玻璃熔融工序中，使玻璃原材料熔融。作为玻璃基板的材料，例如能够使用 以SiO₂、Na₂O、CaO为主成分的钠钙玻璃(soda lime glass)；以SiO₂、Al₂O₃、R₂O(R＝K、 Na、Li)为主成分的铝硅酸盐玻璃；硼硅酸盐玻璃；Li₂O-SiO₂系玻璃；Li₂O-Al₂O₃-SiO₂系玻璃；R’O-Al₂O₃-SiO₂系玻璃(R’＝Mg、Ca、Sr、Ba)等。这些材料中，铝硅酸盐玻璃 或硼硅酸盐玻璃由于耐冲击性、耐振动性优良而尤其优选。

[成型工序]

接着，在成型工序中，使熔融的玻璃原材料流入下模，通过上模进行冲压成型得到圆 板状的玻璃基板(将其称为坯料)。此外，坯料不限于通过冲压成型来制作，也可以通过用 砂轮切割以下拉法、浮法等形成的薄片玻璃来制作。

玻璃基板、即坯料的大小没有限定。例如能够制作外径为2.5英寸、1.8英寸、1英寸、 0.8英寸等的各种大小的玻璃基板。在玻璃基板的厚度上也没有限定。例如能够制作2mm、 1mm、0.8mm、0.63mm等各种厚度的玻璃基板。

[热处理工序]

接着，在热处理工序中，将通过冲压成型或切割制作的玻璃基板与耐热构件的定型器 (setter)交替地层叠，并使其经过高温的电炉，由此促进玻璃基板的翘曲的降低或玻璃的结 晶化。

[第1研磨工序]

接着，在第1研磨工序中，对玻璃基板的两表面进行研磨加工，对玻璃基板的平行度、 平坦度以及厚度进行预调。

[取芯加工工序]

接着，在取芯加工工序中，在第1研磨工序后的玻璃基板的中心部形成圆形的孔。开 孔例如能够通过用在切割部具备金刚石砂轮等的取芯钻等进行研磨来进行。

[内、外径加工工序]

接着，在内、外径加工工序中，通过例如用金刚石等的鼓状砂轮对玻璃基板的外周端 面和内周端面进行研磨，由此进行内、外径加工。

[第2研磨工序]

接着，在第2研磨工序中，对玻璃基板的两表面再次进行研磨加工，对玻璃基板的平 行度、平坦度以及厚度进行微调。

在上述第1研磨工序和所述第2研磨工序中，如图2和图3所示，能够使用利用行星 齿轮机构的被称为双面研磨机的公知的研磨机(grindingmachine)10。双面研磨机10具备相 互平行地上下配置的圆板状的上平板11和下平板12。该上下的平板11、12沿彼此相反 的方向旋转。在该上下的平板11、12的相对置的各面分别粘贴有用于研磨玻璃基板的主 表面的金刚石丸(diamond pellet)13、14。在上下的平板11、12之间设置有多个支架17。 各支架17与设置于下平板12的旋转轴周围的太阳齿轮15以及在下平板12的外周以圆环 状设置的内齿轮16结合而旋转。在各支架17上形成有多个孔18。玻璃基板被松缓地嵌 合支撑在各孔18中。此外，关于玻璃基板，在图2和图3中没有图示，但例如在图15中 标注符号80加以图示。上下的平板11、12、太阳齿轮15以及内齿轮16分别通过不同的 驱动来动作。

研磨机10的研磨动作大致如下进行。即，当上下的平板11、12沿彼此相反的方向旋 转时，介于金刚石丸13、14处在上下的平板11、12之间的支架17在支撑着多个玻璃基 板的状态下一边自转一边相对于平板11、12的旋转中心沿与下平板12相同的方向公转。 通过对这样动作的研磨机10，向上平板11的金刚石丸13与玻璃基板之间以及下平板12 的金刚石丸14与玻璃基板之间提供研磨液，由此进行玻璃基板的研磨。

在使用该双面研磨机10时，根据期望的研磨状态适当地调整平板11、12对玻璃基板 施加的的负荷以及平板11、12的转速。优选使第1及第2研磨工序中的负荷为 60g/cm²(5.88kPa)至120g/cm²(11.77kPa)。另外，优选使平板11、12的转速为10rpm 至30rpm左右，并使上平板11的转速比下平板12的转速慢30％至40％左右。如果增大 平板11、12施加的负荷并加快平板11、12的转速，则研磨量增多。但是，当负荷过大时， 表面粗糙度不会良好，当转速过快时，平坦度不会良好。另外，如果减小平板11、12的 负荷并减慢平板11、12的转速，研磨量减少，制造效率降低。

在结束第2研磨工序的时间点，玻璃基板的大的波纹、碎裂、裂纹等缺陷几乎被去除。 另外，玻璃基板的主表面的表面粗糙度Ra优选为0.2μm至0.4μm左右，主表面的平坦 度优选为7～10μm。通过设成这种面状态，能够高效地进行接下来的第1抛光工序中的抛 光。

此外，在第1研磨工序中，粗略地去除玻璃基板的大的波纹、碎裂、裂纹等以便能够 高效地进行第2研磨工序。因此，优选在第2研磨工序中使用粗糙度为#1300网目(mesh) 至#1700网目左右的金刚石丸13、14，在第1研磨工序中使用粗糙度比第2研磨工序粗 的#800网目至#1200网目左右的金刚石丸13、14。在结束了第1研磨工序的时间点，玻 璃基板的主表面的表面粗糙度优选为Ra是0.4μm至0.8μm左右，主表面的平坦度优选 为10～15μm。

另外，优选在第1研磨工序之后和/或第2研磨工序之后进行用于去除残留于玻璃基板 的表面的研磨液、玻璃粉的清洗工序。

此外，本实施方式中利用的表面粗糙度是用原子间力显微镜(数码仪器公司(Digital  Instruments)制毫微秒示波器)来测定1μmx1μm的范围所得的值。另外，本实施方式中 利用的平坦度是用平坦度测定装置测定所得的值，是玻璃基板的表面的最高位置(Po)与最 低位置(Vo)的高低差(Po-Vo值)。

[端面抛光加工工序]

接着，在端面抛光加工工序中，用端面抛光机对结束了第2研磨工序的玻璃基板的外 周端面和内周端面进行抛光加工。

[第1抛光工序]

接着，在第1抛光工序中，对玻璃基板的两表面进行抛光加工。在第1抛光工序中， 用图4至图6所示的奥斯卡抛光机(Oscar polishing machine)20对玻璃基板80进行抛光， 以便最终能够高效地获得本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板的形状。奥斯卡抛光机20 具备旋转的下抛光盘21以及在下抛光盘21的上方空间沿水平方向(X←→X)摇动的上抛光 盘22。而且，在上下的抛光盘21、22之间配置收容于内经比玻璃基板80的外径大的环 状夹具23的玻璃基板80，一边使玻璃基板80自转，一边用上下的抛光盘21、22对玻璃 基板80的双面进行抛光。

在奥斯卡抛光机20中，在上下的抛光盘21、22之间放置有作为抛光对象物的玻璃基 板80的状态下，一边提供抛光液，一边让下抛光盘21自转使上抛光盘22如图4至图6 所示左右摇动，由此，玻璃基板80通过上下的抛光盘21、22而被抛光。根据条件，能够 促进玻璃基板80的自转。其结果，能够制造同心圆的点对称形状的玻璃基板80。即，能 够抑制玻璃基板80的周向的表面状态的变动。在本实施方式中，以外径为2.5英寸 (63.5mm)的玻璃基板80为例子来进行说明，但是对玻璃基板80的大小没有限定。

在本实施方式中，上下的抛光盘21、22的直径为1000mm，相对置的各个面上粘贴 有富有弹性的绒面革(在图5(a)中仅图示下抛光盘21的绒面革(suede)24)。在图5(b)所示 的用树脂材料制造的环状夹具23(内径65mm、外径67mm、厚度0.5mm)中玻璃基板80 被松缓地嵌合支撑。将其100套置于下抛光盘21的绒面革24上。然后，用上抛光盘22 夹着玻璃基板80，一边提供作为抛光液的含有二氧化铈或胶体硅(colloidal silica)作为磨粒 (抛光材料)的泥浆(slurry)，一边使下抛光盘21自转而使上抛光盘22在任意的范围内如图 4至图6所示左右摇动。由此，玻璃基板80通过上下的抛光盘21、22的相对运动而在环 状夹具23内自转，两表面在周向上被抛光。

[化学强化工序]

(总论)

接着，在化学强化工序中，通过将玻璃基板浸渍于化学强化处理液而在玻璃基板的主 表面、外周端面以及内周端面上形成化学强化层(应力层)。即，对玻璃基板实施化学强化 处理。通过在玻璃基板的主表面上形成化学强化层，能够防止玻璃基板的翘曲、或主表面 的粗面化。通过在玻璃基板的外周端面和内周端面上形成化学强化层，能够提高玻璃基板 的耐冲击性、耐振动性以及耐热性等。

化学强化工序是通过离子交换法来进行的，离子交换法是通过将玻璃基板浸渍于被加 热的化学强化处理液中，使玻璃基板所包含的锂离子、钠离子等碱金属离子与离子半径比 其大的钾离子等碱金属离子进行置换。因离子半径的差异所产生的变形在离子交换的区域 产生压缩应力，玻璃基板的主表面、外周端面和内周端面通过应力层、即化学强化层而被 强化。玻璃基板的表面通过应力层被强化的结果，玻璃基板的耐冲击性得到更进一步的改 善。

对化学强化处理液没有特别限制，能够使用公知的化学强化处理液。通常，一般使用 包含钾离子的熔融盐或包含钾离子和钠离子的熔融盐。作为包含钾离子、钠离子的熔融盐， 可举出钾或钠的硝酸盐、碳酸盐、硫酸盐、或它们的混合熔融盐。其中，从熔点低能够防 止玻璃基板的变形的观点出发，优选使用硝酸盐。

(以往的化学强化处理)

以往的化学强化处理大致如下。首先，如图7(a)所示，使用用于支撑玻璃基板80的 支架30。支架30是上下敞开的容器，多个支撑杆31相互平行地架设。如图7(b)所示， 玻璃基板80通过多个支撑杆31在3点受到支撑。通过一个支架30，几十张的玻璃基板 80以微小的间隙相互平行地排列而被同时支撑。

如图8(a)所示，用电炉40将支撑于支架30的玻璃基板80预热至300℃。如图8(b) 所示，在处理液槽50中准备硝酸钾(60质量％)与硝酸钠(40质量％)混合并溶解后的化学强 化处理液，用加热器51加热至400℃。将预热后的玻璃基板80在化学强化处理液中浸渍 约20分钟，在玻璃基板80的整面上形成强化层。如图8(c)所示，将结束了化学强化处理 的玻璃基板80在由加热器61加温至70℃的温水槽60中浸渍约10分钟来进行冷却，之 后如图8(d)所示从温水槽60取出。

此时，化学强化处理液的温度偏差、浓度偏差或异物的混入等、包围玻璃基板80的 环境由于各种要因不同而不一样，因此化学强化处理前后的玻璃基板80的表面形状不会 均匀地变化。例如，化学强化处理前如图9(a)所示那样表面形状大致平坦的玻璃基板80 在化学强化处理后如图9(b)所示那样表面形状发生变形。

其结果，如图10(a)、(b)、(c)所示，在化学强化处理后，玻璃基板80的周向的TIR 恶化。图10(a)是化学强化处理前的玻璃基板80主表面81(参照图15)的高低映射图。如 该图所示，在化学强化处理前，玻璃基板80主表面81的平坦度相对良好。因此，如图 10(c)中实线(a)所示，玻璃基板80的主表面81的周向的TIR小。另一方面，图10(b)是 以往的化学强化处理后的玻璃基板80主表面81的高低映射图。如该图所示，在化学强化 处理后，玻璃基板80的主表面81的表面形状发生变形。因此，如图10(c)中虚线(b)所示， 玻璃基板80的主表面81的周向的TIR增大。

此外，图10(c)的周向TIR是在图10(a)和图10(b)中用虚线表示的位置的值。具体而 言，是将玻璃基板80的半径设为R时在距玻璃基板80的中心0.75R的位置的值。

所述“玻璃基板的周向的TIR”是指，例如通过用最小二乘法求出与玻璃基板的主表面 最优拟合的平面并在周向上测定多处玻璃基板的主表面的高度时，高度在所述平面的上方 的最高点(P)与高度在所述平面的下方的最低点(V)之差的绝对值(P-V值)。

玻璃基板80的主表面81的周向的TIR例如能够通过如下方式等来测定：利用白色光 的干涉来测定表面形状的方式(例如Phase Shift Technology公司制的“Optiflat”)；或通过 相对于被测定面倾斜地射入激光能够得到与垂直入射方式相比更高的反射率、且针对粗的 面形状也能够测定的方式(例如TROPEL公司制的“Flat Master FM100XRA”)。

这样，可知以往为了提高玻璃基板80的耐冲击性等而在进行的化学强化处理使玻璃 基板80的周向的TIR恶化。其结果，玻璃基板80的周向的表面状态大幅变动，容易发生 因磁头的跟踪不良引起的头碰撞。

(本实施方式的化学强化处理)

因此，在本实施方式中，谋求避免化学强化处理使玻璃基板80的周向的TIR恶化。 具体而言，谋求使化学强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量在0.5μm以下。

据此，由于化学强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量为0.5μm以下， 因此，化学强化处理引起的玻璃基板80的周向TIR的恶化极为受到限制。因此，化学强 化工序后的玻璃基板80的周向的TIR被抑制为小的值，玻璃基板80的周向的表面状态的 变动得以抑制，因磁头的跟踪不良引起的头碰撞的发生得以抑制。

在本实施方式中，优选使化学强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量为 0.3μm以下。这是因为，因化学强化处理引起的玻璃基板80的周向TIR的恶化更进一步 受到限制，因磁头的跟踪不良引起的头碰撞的发生得到更进一步的抑制。

在本实施方式中，玻璃基板80的周向的TIR是在将玻璃基板80的半径设为R时在 距玻璃基板80的中心0.75R的位置的周向的TIR。

据此，具有如下优点。即，同一玻璃基板的周向TIR与距玻璃基板的中心的距离具有 相关关系，具有从玻璃基板的中心越向外侧远离则周向TIR越大的趋势。而且，距玻璃基 板80的中心0.75R的位置是在玻璃基板80的主表面81或记录介质的记录区域中相对外 侧的位置。因此，通过将在距玻璃基板80的中心0.75R的位置的周向的TIR的增加量限 制在0.5μm以下或0.3μm以下，具有如下优点：即在将玻璃基板80的主表面81的外周 端部和内周端部包括在内的主表面81的全部、或者在将记录介质的记录区域的外周端部 和内周端部包括在内的记录区域的全部，周向TIR的恶化极为受到限制，头碰撞的发生在 广范围内得到抑制。

(具体方法之一)

作为使化学强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量为0.5μm以下的第一 个具体方法，可举出如下方法：在化学强化工序中，改变浸渍于化学强化处理液的玻璃基 板80在化学强化处理液中的姿势。

据此，能够得到如下作用。即，在不改变玻璃基板80在化学强化处理液中的姿势的 情况下，起因于包围玻璃基板80的环境由于各种要因而不一样，有可能产生按玻璃基板 80的表面的每个部位不同的形状变化。与此相对，通过改变玻璃基板80在化学强化处理 液中的姿势，能够消除这种按每个部位不同的形状变化。因此，化学强化处理前后的玻璃 基板80的表面形状均匀地变化，从而能够容易使TIR增加量为0.5μm以下。

例如，如图11(a)所示，用电炉40将支撑于支架30的玻璃基板80预热至300℃。如 图11(b)所示，在处理液槽50中准备硝酸钾(60质量％)与硝酸钠(40质量％)混合并溶解后 的化学强化处理液，用加热器51加热至400℃。将预热后的玻璃基板80在化学强化处理 液中浸渍约10分钟(第一次浸渍)。在浸渍10分钟后，按每个支架30从处理液槽50取出 玻璃基板80，使所有玻璃基板80如图中用箭头所示相对于玻璃基板80的中心旋转90°。 在这样改变了玻璃基板80的姿势之后，如图11(c)所示，再次在化学强化处理液中浸渍约 10分种(第二次浸渍)。如图11(d)所示，将结束了化学强化处理的玻璃基板80在由加热器 61加温至70℃的温水槽60中浸渍约10分钟来进行冷却，之后如图8(e)所示从温水槽60 取出。

通过这种方式，如图12(a)所示，通过第一次浸渍，玻璃基板80的表面形状以穿过玻 璃基板80的中心的线对称地发生变形，而如图12(b)所示，通过第二次浸渍，化学强化处 理液中的玻璃基板80的姿势相对于玻璃基板80的中心改变90°，因此它们互起作用，如 图12(c)所示，按玻璃基板80的表面的每个部位不同的形状变化得以消除。其结果，化学 强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量变为0.5μm以下。

此外，该例子是玻璃基板的表面形状以穿过玻璃基板的中心的线对称而变化的情况、 即在玻璃基板的180°相对置的规定的两处玻璃基板的表面形状发生变化的情况。不限于 此，例如在玻璃基板的表面形状仅在规定的一处变化的情况下，使玻璃基板以小于90°的 角度一点一点地旋转，并在每次将玻璃基板浸渍于化学强化处理液中即可(例如总共进行3 次以上的多次浸渍)。

使该周向的TIR增加量为0.5μm以下的具体方法之一的宗旨在于，预先掌握因化学 强化处理引起的玻璃基板的形状变化，根据该形状变化，将化学强化处理分多次进行以消 除该形状变化。

此外，如果可能，则也可以不将玻璃基板80从处理液槽50取出而在浸渍于化学强化 处理液中的状态下改变姿势。

(具体方法之二)

作为使化学强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量为0.5μm以下的第二 个具体方法，可举出在化学强化工序中，使化学强化处理液的温度分布均匀化的方法。

据此，浸渍玻璃基板80的化学强化处理液的温度偏差得以降低。因此，包围玻璃基 板80的环境变得一样，化学强化处理前后的玻璃基板80的表面形状均匀地变化，从而能 够容易使TIR增加量为0.5μm以下。

例如，如图13(a)所示，用电炉40将支撑于支架30的玻璃基板80预热至300℃。如 图13(b)所示，在处理液槽50中准备硝酸钾(60质量％)与硝酸钠(40质量％)混合并溶解后 的化学强化处理液，用加热器51～55加热至400℃。将预热后的玻璃基板80在化学强化 处理液中浸渍约20分钟。此时，通过将多个加热器51～54均等地配置在处理液槽50的 周围，使化学强化处理液的温度分布均匀化。此外，通过设置在玻璃基板80的中心部的 圆形孔中配置的加热器55，能够使化学强化处理液相对于玻璃基板80的温度分布更进一 步均匀化。如图13(c)所示，将结束了化学强化处理的玻璃基板80在用加热器61加温至 70℃的温水槽60中浸渍约10分钟进行冷却，之后如图13(d)所示从温水槽60取出。

通过这种方式，玻璃基板80浸渍于温度分布均匀化的化学强化处理液中，因此，如 图14(a)、(b)所示，化学强化处理前后玻璃基板80的周向的TIR恶化得以抑制。图14(a) 是化学强化处理前的玻璃基板80主表面81的高低映射图，图14(b)是利用该具体方法之 二的化学强化处理后的玻璃基板80主表面81的高低映射图。如该图所示，在化学强化处 理前后，玻璃基板80的主表面81的平坦度良好地维持。其结果，化学强化工序前后的玻 璃基板80的周向的TIR的增加量变为0.5μm以下。

使该周向的TIR增加量为0.5μm以下的具体方法之二的宗旨在于谋求离子交换法的 化学反应的稳定化。

另外，也可以根据状况省略配置于玻璃基板80的中心部的圆形孔中的加热器55。

(具体方法之三)

作为使化学强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量为0.5μm以下的第三 个具体方法，可举出在化学强化工序中搅拌化学强化处理液的方法。

据此，浸渍玻璃基板80的化学强化处理液的浓度偏差得以降低。因此，包围玻璃基 板80的环境变得一样，化学强化处理前后的玻璃基板80的表面形状均匀地变化，从而能 够容易使TIR增加量为0.5μm以下。

例如在所述图13(b)中，使配置于玻璃基板80的中心部的圆形孔中的加热器55如图 中箭头所示如搅拌棒那样进行圆运动或旋转。

通过这种方式，玻璃基板80浸渍于浓度分布均匀化的化学强化处理液中，因此，如 图14(a)、(b)所示，化学强化处理前后玻璃基板80的周向的TIR恶化得以抑制。图14(a) 是化学强化处理前的玻璃基板80主表面81的高低映射图，图14(b)是利用该具体方法之 三的化学强化处理后的玻璃基板80主表面81的高低映射图。如该图所示，在化学强化处 理的前后，玻璃基板80的主表面81的平坦度良好地维持。其结果，化学强化工序前后的 玻璃基板80的周向的TIR的增加量变为0.5μm以下。

使该周向的TIR增加量为0.5μm以下的具体方法之三的宗旨在于离子交换法的化学 反应的稳定化。

此外，也可以根据状况，代替配置于玻璃基板80的中心部的圆形孔中的加热器55而 在玻璃基板80的中心部的圆形孔中配置不具有加热功能的搅拌棒。另外，也可以仅留下 加热器51，而省略配置于处理液槽50的周围的多个加热器52～54。另外，不限于在玻璃 基板80的中心部的圆形孔中搅拌化学强化处理液，也可以在玻璃基板80的中心部的圆形 孔外、即在玻璃基板80的周围搅拌化学强化处理液。另外，也可以在玻璃基板80的中心 部的圆形孔中和圆形孔外搅拌化学强化处理液。

[第2抛光工序]

接着，在第2抛光工序中，对化学强化工序后的玻璃基板的两表面进一步进行精密的 抛光加工。在第2抛光工序中，使用与图2和图3所示的第1及第2研磨工序中使用的双 面研磨机10类似结构的双面抛光机。

在第2抛光工序中，代替金刚石丸13、14，使用比第1抛光工序中使用的绒面革软 的硬度为65至80(Asker-C)左右的软质的抛光垫。该抛光垫例如优选使用聚氨酯泡沫、绒 面革。

作为抛光液，能够使用与第1抛光工序相同的含有二氧化铈等作为磨粒(抛光材料)的 泥浆。但是，为了使玻璃基板的表面更平滑，优选使用磨粒的粒径更小而偏差少的抛光液。 例如优选使用将平均粒径为40nm至70nm的胶体硅作为磨粒(抛光材料)分散于水中而成 为泥浆状的液体用作抛光液。优选水与磨粒的混合比率大致为1∶9至3∶7左右。

优选使上下的平板对玻璃基板的负荷为90g/cm²(8.83kPa)至110g/cm²(10.8kPa)。另 外，优选使上下的平板的转速为15rpm至35rpm，并使上平板的转速比下平板的转速慢 30％至40％左右。

通过适当调整第2抛光工序的抛光条件，能够使玻璃基板的主表面的平坦度为3μm 以下，使玻璃基板的主表面的表面粗糙度Ra小至0.1nm。

第2抛光工序中的抛光量优选为2μm至5μm。通过将抛光量设为该范围，能够良好 地去除在玻璃基板的表面产生的微小的皲裂、波纹或在到此为止的工序中产生的微小的伤 痕之类的微小缺陷。

这样，通过包括在化学强化工序之后对玻璃基板80的表面进行抛光的抛光工序，使 最终的玻璃基板80的周向的TIR进一步变小。因此，头碰撞的发生得到进一步的抑制。

[清洗工序]

接着，在清洗工序中，对第2抛光工序后的玻璃基板进行刷洗。但是，并不限于刷洗， 只要是能够清洗抛光工序后的玻璃基板的表面的清洗方法，就可以是任意的清洗方法。

根据需要对被刷洗后的玻璃基板进行超声波的清洗和干燥处理。干燥处理是用 IPA(isopropyl alcohol：异丙醇)等去除了残留于玻璃基板的表面的清洗液之后使玻璃基板 的表面干燥的处理。例如对刷洗后的玻璃基板进行2分钟的冲水清洗工序，去除清洗液的 残渣。接着，IPA清洗工序进行2分钟，利用IPA去除残留于玻璃基板的表面的水。最后， IPA蒸气干燥工序进行2分钟，利用IPA蒸气去除附着于玻璃基板的表面的液状的IPA 并使其干燥。

作为玻璃基板的干燥处理并不限定于此，也可以是旋转干燥、气刀干燥等作为玻璃基 板的干燥方法一般已为公知的干燥方法。

[检查工序]

接着，在检查工序中，通过目视来检查有无玻璃基板的伤痕、破裂、异物的附着等。 在无法通过目视判别的情况下，使用光学表面分析仪(例如KLA-TENCOL公司制的 “OSA6100”)进行检查。

通过检查工序被判别为良品的玻璃基板在干净的环境中收纳于专用收纳盒以免在表 面附着异物等，在进行真空包装之后作为HDD用玻璃基板出厂。

<HDD用玻璃基板>

接着，说明以如上所述的方式制造的HDD用玻璃基板。如图15所示，本实施方式所 涉及的HDD用玻璃基板80是在其主表面81周向的TIR被抑制为小的值、且周向的表面 状态的变动得到抑制的高质量的HDD用玻璃基板。

<HDD用磁记录介质>

接着，说明使用所述HDD用玻璃基板80制造的HDD用磁记录介质。本实施方式所 涉及的HDD用磁记录介质是在所述HDD用玻璃基板80的主表面81上形成作为记录层 的磁性膜而制得的。磁性膜可以直接或间接地形成在主表面81上。磁性膜可以形成于玻 璃基板80的单面或双面。

作为磁性膜的形成方法，可以使用以往公知的方法，可举出例如通过将分散磁性粒子 而成的热固化性树脂旋涂在玻璃基板80上形成的方法、通过溅射或无电解镀形成的方法 等。旋涂法中的膜厚为约0.3μm～1.2μm左右，溅射法中的膜厚为0.01μm～0.08μm左右， 无电解镀法中的膜厚为0.01μm～0.1μm左右，从薄膜化和高密度化的观点出发，优选通过 溅射法、无电解镀法形成膜。

作为用于磁性膜的磁性材料并没有特别限定，可以使用以往公知的材料。其中，优选 使用为了得到高保持力而以结晶各向异性高的Co为基本材料并以调整残留磁通密度为目 的添加了Ni或Cr的Co系合金等。具体而言，优选使用以Co为主成分的CoPt、CoCr、 CoNi、CoNiCr、CoCrTa、CoPtCr、CoNiPt、CoNiCrPt、CoNiCrTa、CoCrPtTa、 CoCrPtB、CoCrPtSiO等。

磁性膜可以为用非磁性膜(例如Cr、CrMo、CrV等)分割而实现了噪声降低的多层结 构(例如CoPtCr/CrMo/CoPtCr、CoCrPtTa/CrMo/CoCrPtTa等)。

除了上述磁性材料以外，也可以是铁氧体系或稀土铁系材料、或将Fe、Co、FeCo、 CoNiPt等磁性粒子分散于由SiO₂、BN等构成的非磁性膜中结构的颗粒等。

磁性膜可以是内面型和垂直型中的任何的记录形式。

为了使磁头的滑行良好，可以在磁性膜的表面涂上薄的润滑剂。作为润滑剂，可举出 例如将作为液体润滑剂的全氟聚醚(PFPE)用氟氯烷系(Freon-based)等溶媒进行稀释而成 的润滑剂等。

在本实施方式中，根据需要，除了形成作为记录层的磁性膜以外，还可以形成基底层 或保护层。HDD用磁记录介质中的基底层根据磁性膜来选择。作为基底层的材料，可举 出例如选自由Cr、Mo、Ta、Ti、W、V、B、Al、Ni等非磁性金属构成的组中的至少一 种以上的材料。在以Co为主成分的磁性膜的情况下，从磁特性的提高等观点出发，优选 为Cr单体或Cr合金。基底层不限于单层，也可以为层叠了相同或不同种类的层的多层结 构。例如可以为Cr/Cr、Cr/CrMo、Cr/CrV、NiAl/Cr、NiAl/CrMo、NiAl/CrV等多层 基底层。

保护层是为了防止磁性膜的磨损或腐蚀而形成的。作为保护层，可举出例如Cr层、 Cr合金层、碳层、氢化碳层、氧化锆层、二氧化硅层等。这些保护层能够与基底层或磁性 膜等一起通过直列型溅射装置连续地形成。另外，这些保护层可以是单层，或者可以是包 含相同或不同种类的层的多层结构。

可以在所述保护层上或代替所述保护层而形成其它保护层。例如，可以代替所述保护 层，通过将胶体硅微粒子分散于用乙醇系的溶媒稀释了四烷氧硅烷而成的溶液中并涂布在 Cr层上，再进行烧制，由此形成二氧化硅(SiO₂)层。

如上所述，通过将使用本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板80作为基板而制造的 HDD用磁记录介质用于HDD，能够使HDD的高速旋转时的磁头的动作稳定。

另外，根据用本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板80制造的HDD用磁记录介质， 由于周向的TIR被抑制为小的值、且周向的表面状态的变动得到抑制的HDD用玻璃基板 80被使用，因此是头碰撞的发生得到抑制的高质量的HDD用磁记录介质。

在本实施方式中，优选用HDD用玻璃基板80制造的HDD用磁记录介质在安装于硬 盘驱动器时的转速为7000rpm以上。

据此，实现即使以7000rpm以上的高速进行旋转也不易发生因磁头的跟踪不良引起 的头碰撞的高质量的HDD用磁记录介质。

此外，在本实施方式中，研磨工序和抛光工序各分两次进行，但是并不限于此，也可 以只进行一次。另外，化学强化工序是在第2抛光工序之前进行，但是也可以根据状况在 第2抛光工序之后进行。

并且，作为坠落强度对策，可以将玻璃基板的主表面以外的外周端面或内周端面进行 强化，作为玻璃基板中产生的伤痕的边沿缓和处理，可以对玻璃基板进行HF浸渍处理。

本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板并不限定于HDD用磁记录介质的制造用途， 例如还能够用于光磁盘、光盘等的制造用途。

汇总本实施方式的技术特征如下。

本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板的制造方法包括将玻璃基板80浸渍于化学强 化处理液以便对玻璃基板80实施化学强化处理的化学强化工序，其中，使化学强化工序 前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量为0.5μm以下。

根据本实施方式，由于化学强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量为 0.5μm以下，因此，因化学强化处理引起的玻璃基板80的周向的TIR的恶化极为受到限 制。因此，化学强化工序后的玻璃基板80的周向的TIR被抑制为小的值，玻璃基板80 的周向的表面状态的变动得以抑制，从而头碰撞的发生得以抑制。

在本实施方式中，优选使化学强化工序前后的玻璃基板80的周向的TIR的增加量为 0.3μm以下。

根据本实施方式，由于因化学强化处理引起的玻璃基板80的周向的TIR的恶化受到 更进一步的限制。因此，头碰撞的发生得到更进一步的抑制。

本实施方式在化学强化工序中，改变浸渍于化学强化处理液的玻璃基板80在化学强 化处理液中的姿势，以使TIR的增加量为0.5μm以下。

根据本实施方式，不改变玻璃基板80的姿势的情况下可能产生的、按玻璃基板80的 表面的每个部位不同的形状变化通过改变玻璃基板80的姿势而被消除。因此，化学强化 处理前后的玻璃基板80的表面形状均匀地变化，从而能够容易使TIR增加量为0.5μm以 下。

本实施方式在化学强化工序中，使化学强化处理液的温度分布均匀化，以使TIR的增 加量为0.5μm以下。

根据本实施方式，浸渍玻璃基板80的化学强化处理液的温度偏差得以降低。因此， 包围玻璃基板80的环境变得一样，化学强化处理前后的玻璃基板80的表面形状均匀地变 化，从而能够容易使TIR增加量为0.5μm以下。

本实施方式在化学强化工序中，搅拌化学强化处理液，以使TIR的增加量为0.5μm 以下。

根据本实施方式，浸渍玻璃基板80的化学强化处理液的浓度偏差得以降低。因此， 包围玻璃基板80的环境变得一样，化学强化处理前后的玻璃基板80的表面形状均匀地变 化，从而能够容易使TIR增加量为0.5μm以下。

本实施方式包括在化学强化工序后对玻璃基板80的表面进行抛光的抛光工序(第2抛 光工序)。

根据本实施方式，最终的玻璃基板80的周向的TIR进一步变小。因此，头碰撞的发 生得到进一步的抑制。

在本实施方式中，玻璃基板80的周向的TIR是指在将玻璃基板80的半径设为R时， 从玻璃基板80的中心离开0.75R的位置的周向的TIR。

根据本实施方式，在将玻璃基板80的主表面81的外周端部和内周端部包括在内的主 表面81的全部、或者在将记录介质的记录区域的外周端部和内周端部包括在内的记录区 域的全部，周向的TIR的恶化极为受到限制，头碰撞的发生在广范围内得到抑制。

本实施方式所涉及的HDD用玻璃基板80利用上述HDD用玻璃基板的制造方法制 得。

根据本实施方式，可得到周向的TIR被抑制为小的值、且周向的表面状态的变动得到 抑制的高质量的HDD用玻璃基板80。

本实施方式所涉及的HDD用磁记录介质在所述HDD用玻璃基板80的主表面81上 形成记录层而制得。

根据本实施方式，由于使用周向的TIR被抑制为小的值、且周向的表面状态的变动得 到抑制的HDD用玻璃基板80，因此能够得到头碰撞的发生得到抑制的高质量的HDD用 磁记录介质。

本实施方式所涉及的HDD用磁记录介质优选被用于转速为7000rpm以上的硬盘驱 动器。

根据本实施方式，能够得到即使以7000rpm以上的高速旋转也不易发生因磁头的跟 踪不良引起的头碰撞的高质量的HDD用磁记录介质。

根据本实施方式，由于提供因磁头对记录介质表面的跟踪不良引起的头碰撞的发生得 到抑制的HDD用玻璃基板80的制造方法、通过该制造方法制造的HDD用玻璃基板80 以及使用该HDD用玻璃基板80的HDD用磁记录介质，因此能够对应DFH头机构，能 够有助于最近的高密度记录化。

[实施例]

下面，通过实施例和比较例进一步详细说明本发明。但是，本发明并不限定于该实施 例。

<HDD用玻璃基板的制造>

按照图1的制造工序制造了HDD用玻璃基板。

[1.玻璃熔融工序、成型工序]

作为玻璃原材料，使用Tg为480℃的铝硅酸盐玻璃，对熔融的玻璃原材料进行冲压 成型，制作出外径为68mm、厚度为0.93mm的圆板状的玻璃基板(坯料)。

[2.热处理工序]

将外形为70mm、厚度为2mm、材质为氧化铝的定型器与玻璃基板交替地层叠，并 使其在被设定为约430℃的高温的电炉中经过2小时，由此使玻璃基板的翘曲或内部应力 降低。

[3.第1研磨工序]

用双面研磨机(HAMAI公司制)对玻璃基板的两表面进行了研磨加工。作为研磨条件， 金刚石丸使用#1200网目的金刚石丸，将负荷设为100g/cm²(9.81kPa)，将上平板的转速 设为20rpm，将下平板的转速设为30rpm。

[4.取芯加工工序]

使用具备金刚石砂轮的圆筒状的取芯钻在玻璃基板的中心部形成直径为18mm的圆 形的孔。

[5.内、外径加工工序]

用鼓状的金刚石砂轮进行内、外径加工，将玻璃基板的外周端面和内周端面加工成为 外径65mm和内径20mm。

[6.第2研磨工序]

再次用双面研磨机(HAMAI公司制)对玻璃基板的两表面进行了研磨加工。作为研磨 条件，金刚石丸使用#1700网目的金刚石丸，将负荷设为100g/cm²(9.81kPa)，将上平板 的转速设为20rpm，将下平板的转速设为30rpm。

使第1及第2研磨工序的总研磨量为0.1mm。其结果，玻璃基板的厚度成为0.83mm。

[7.端面抛光加工工序]

将玻璃基板层叠100张，在该状态下，用端面抛光机对玻璃基板的外周端面和内周端 面进行了抛光加工。作为抛光机的刷毛，使用了直径为0.2mm的尼龙纤维。抛光液使用 含有平均粒径为3μm的二氧化铈作为磨粒(抛光材料)的泥浆。

[8.第1抛光工序]

用图4至图6所示的奥斯卡抛光机在周向上对玻璃基板的两表面进行了抛光加工。得 到的玻璃基板的周向的TIR(化学强化工序前的周向TIR)为0.7μm(参照表1)。该TIR的 值是在将玻璃基板的半径设为R时在距玻璃基板的中心0.75R的位置的周向的TIR的值。

[9.化学强化工序]

比较例1、2中，如参照图8(a)、(b)、(c)、(d)说明的那样进行了化学强化处理(以往 的化学强化处理)。将支架支撑的玻璃基板的张数设为50张(25张x2列)。

实施例1、5中，如参照图11(a)、(b)、(c)、(d)、(e)说明的那样进行了化学强化处理(本 发明所涉及的化学强化处理的具体方法之一)。将支架支撑的玻璃基板的张数设为50张(25 张x2列)。

实施例2、6中，如参照图13(a)、(b)、(c)、(d)说明的那样进行了化学强化处理(本发 明所涉及的化学强化处理的具体方法之二)。将支架支撑的玻璃基板的张数设为50张(25 张x2列)。

实施例3、7中，如参照图13(a)、(b)、(c)、(d)说明的那样进行了化学强化处理(本发 明所涉及的化学强化处理的具体方法之三)。将支架支撑的玻璃基板的张数设为50张(25 张x2列)。但是，在图13(b)中，仅留下加热器51，省略了在处理液槽50的周围配置的多 个加热器52～54。此外，在玻璃基板80的中心部的圆形孔中不是配置加热器55而是配置 了无加热功能的搅拌棒。将搅拌棒的转速设为60rpm。

实施例4、8中，如参照图13(a)、(b)、(c)、(d)说明的那样进行了化学强化处理(本发 明所涉及的化学强化处理的具体方法之二与之三的组合)。将支架支撑的玻璃基板的张数设 为50张(25张×2列)。但是，在图13(b)中，使用了全部的加热器51～55。使加热器55如 搅拌棒那样旋转。将转速设为60rpm。

[10.第2抛光工序]

仅在比较例2、实施例5～8中进行了第2抛光工序。即，用双面抛光机(HAMAI公司 制)对玻璃基板的两表面进一步进行了精密的抛光加工。作为抛光条件，抛光垫使用硬度为 Asker-C且70度的聚氨酯泡沫制的抛光垫，抛光液使用将平均粒径为60nm的胶体硅作 为磨粒(抛光材料)分散于水中而成为泥浆状的溶液，将水与磨粒的混合比率设为2∶8。另外， 将负荷设为90g/cm²(8.83kPa)，将上平板的转速设为20rpm，将下平板的转速设为30rpm。

将第1抛光工序的抛光量(比较例1、实施例1～4)或第1和第2抛光工序的总抛光量(比 较例2、实施例5～8)都设为30μm。其结果，最终的玻璃基板的厚度成为0.8mm。

[11.清洗工序]

对玻璃基板进行了刷洗。作为清洗液，使用了用超纯水(DI水)将氢氧化钾(KOH)和氢 氧化钠(NaOH)以1∶1质量比的混合进行了稀释、并为了提高清洗能力而添加了非离子界 面活性剂而得到的液体。清洗液的提供是通过喷射喷雾来进行的。在刷洗之后，为了去除 残留于玻璃基板的表面的清洗液，使冲水清洗工序在超声波槽中进行2分钟，IPA清洗工 序在超声波槽中进行2分钟，最后，利用IPA蒸气使玻璃基板的表面干燥。

<HDD用磁记录介质的制造>

在所得到的玻璃基板的主表面上形成磁性膜(记录层)，由此制得了磁记录介质(垂直型 记录形式)。即，从玻璃基板侧依次层叠由Ni-Al构成的基底层(厚度约100nm)、由Co-Cr-Pt 构成的记录层(厚度20nm)、由DLC(Diamond Like Carbon)构成的保护层(厚度5nm)。 在比较例1、2以及实施例1～8中都制作了100张磁记录介质。

<HDD用磁记录介质的评价>

对制作的磁记录介质的头悬浮特性进行了评价。即，使磁记录介质以7000rpm旋转， 对该记录介质使用DFH头机构的磁头，记录磁头对记录介质表面的跟踪不良次数(每一张 记录介质的全记录区域)，并以下述基准进行了评价。跟踪不良次数越多，则判定为越容易 发生头碰撞或读写错误。表1中示出结果。

(评价基准)

◎◎：跟踪不良次数为0(无可挑剔的最优良品)

◎：跟踪不良次数为1(优良品)

○：跟踪不良次数为2～4(良品)

△：跟踪不良次数为5～9(质量上有偏差，但是并非无法使用)

×：跟踪不良次数为10以上(不良品)

在表1中，一并示出了化学强化工序前的玻璃基板的周向的TIR、化学强化工序前后 的玻璃基板的周向的TIR的增加量、化学强化工序后的玻璃基板的周向的TIR以及最终 的玻璃基板(在比较例1以及实施例1～4中为化学强化工序后的玻璃基板，在比较例2以 及实施例5～8中为第2抛光工序后的玻璃基板)的周向的TIR。这些TIR的值是在将玻璃 基板的半径设为R时在距玻璃基板的中心0.75R的位置的周向的TIR的值。

[表1]

<结果的考察>

在进行了以往的化学强化处理的比较例1、2中，化学强化工序前后的玻璃基板的周 向的TIR的增加量超过0.5μm(0.7μm)，头悬浮特性差。

在进行了本发明所涉及的化学强化处理的具体方法之一的实施例1、5中，化学强化 工序前后的玻璃基板的周向的TIR的增加量为0.3μm以下(0.3μm)，头悬浮特性更为优良。

在进行了本发明所涉及的化学强化处理的具体方法之二的实施例2、6中，化学强化 工序前后的玻璃基板的周向的TIR的增加量为0.3μm以下(0.3μm)，头悬浮特性更为优良。

在进行了本发明所涉及的化学强化处理的具体方法之三的实施例3、7中，化学强化 工序前后的玻璃基板的周向的TIR的增加量为0.5μm以下(0.5μm)，头悬浮特性更为优良。

在同时进行了本发明所涉及的化学强化处理的具体方法之二和之三的实施例4、8中， 化学强化工序前后的玻璃基板的周向的TIR的增加量为0.3μm以下(0.2μm)，头悬浮特性 更为优良。

将在化学强化工序之后进行了第2抛光工序的实施例5～8与未进行第2抛光工序的实 施例1～4进行比较，实施例5～8的最终的玻璃基板的周向的TIR更进一步变小，头悬浮 特性更为优良。

本申请以2011年6月30日申请的日本专利申请特愿2011-146229为基础，其内容 包含在本申请中。

为了表现本发明，上述内容中参照附图通过实施方式适当且充分地说明了本发明，但 是，应该认识到只要是本领域技术人员就能够容易变更和/或改良上述实施方式。因而，本 领域技术人员所实施的变更方式或改良方式只要不是脱离权利要求书所记载的权利要求 的权利范围的水平，该变更方式或改良方式就被解释为包括在该权利要求的权利范围内。

产业上的可利用性

本发明在HDD用玻璃基板的制造方法、HDD用玻璃基板以及HDD用磁记录介质的 技术领域中具有广泛的产业上的可利用性。