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一种采用激光退火生成镍硅化物的方法

摘要

本发明公开了一种采用激光退火生成镍硅化物的方法,通过采用两次激光退火工艺来制备镍硅化物,同时保证两次激光退火的稳定在一定范围内,可最终得到一电阻率较低的镍硅化物。由于采用激光进行加热退火,相比较传统工艺速度更快,极大提高了生产效率,降低生产成本;同时采用激光可对硅片必要位置处进行加热,而其余位置处则不进行加热,避免在不必要位置处镍产生扩散并与硅反应生成镍硅化物尖峰从而导致漏电流现象的产生,提高了器件性能。

著录项

  • 公开/公告号CN103681312A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-03-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201310505125.5

  • 发明设计人 曹威;傅昶;

    申请日2013-10-23

  • 分类号H01L21/324;

  • 代理机构上海申新律师事务所;

  • 代理人竺路玲

  • 地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

  • 入库时间 2023-12-17 01:29:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/324 申请公布日:20140326 申请日:20131023

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-04-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/324 申请日:20131023

    实质审查的生效

  • 2014-03-26

    公开

    公开

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