公开/公告号CN103681312A
专利类型发明专利
公开/公告日2014-03-26
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201310505125.5
申请日2013-10-23
分类号H01L21/324;
代理机构上海申新律师事务所;
代理人竺路玲
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2023-12-17 01:29:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-30
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/324 申请公布日:20140326 申请日:20131023
发明专利申请公布后的驳回
2014-04-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/324 申请日:20131023
实质审查的生效
2014-03-26
公开
公开
机译: 通过溅射金属沉积,金属离子注入或硅注入和激光退火为CMOS设备生产双门(一种金属和一种多金属或金属硅化物)的方法
机译: 使用溅射金属沉积,金属离子注入或硅注入以及激光退火为CMOS器件生产双栅极(一种金属和一种多晶硅或金属硅化物)的方法
机译: 使用溅射金属沉积,金属离子注入或硅注入以及激光退火为CMOS器件生产双栅极(一种金属和一种多晶硅或金属硅化物)的方法