首页> 中国专利> 带各向异性导电薄膜的半导体芯片、带各向异性导电薄膜的半导体晶片、以及半导体装置

带各向异性导电薄膜的半导体芯片、带各向异性导电薄膜的半导体晶片、以及半导体装置

摘要

本发明提供能够在连接前检查连接部的、能够预测对于连接有贡献的导电性颗粒数、且连接时对准标记的识别性优异的带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片。一种带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片,其特征在于,前述带各向异性导电薄膜的半导体芯片或晶片具有一面有多个电路电极的半导体芯片或晶片以及覆盖该电路电极的各向异性导电薄膜,该各向异性导电薄膜包含绝缘性树脂成分和导电性颗粒,并且该各向异性导电薄膜所含的导电性颗粒总数的60%以上存在于与该电路电极的平均高度相比为该各向异性导电薄膜的表面侧。

著录项

  • 公开/公告号CN103988289A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 旭化成电子材料株式会社;

    申请/专利号CN201280061980.5

  • 发明设计人 玉屋英明;大谷章;子松时博;

    申请日2012-12-13

  • 分类号H01L21/60;H01B5/16;H01L21/56;H01R11/01;

  • 代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-12-17 00:55:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/60 申请公布日:20140813 申请日:20121213

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-05-25

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/60 登记生效日:20160505 变更前: 变更后: 申请日:20121213

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-09-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/60 申请日:20121213

    实质审查的生效

  • 2014-08-13

    公开

    公开

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