一种环形硅深孔及环形硅深孔电极的制备方法

摘要

本发明提供一种环形硅深孔及环形硅深孔电极的制备方法，包括：提供一硅衬底，于所述硅衬表面制作具有环形窗口的光刻掩膜；采用深度反应离子刻蚀工艺刻蚀所述环形窗口下方的硅衬底，形成环形硅深孔；于所述环形硅深孔的表面形成绝缘层及阻挡层；于所述绝缘层表面形成种子层；于所述种子层表面电镀铜，直至将所述环形硅深孔填满；采用机械化学抛光法对所述硅衬底表面进行抛光。本发明提供了一种环形硅深孔以及能有效地在环形硅深孔内制作铜电极的方法，可以有效避免铜与硅衬底的分层现象，获得性能稳定的硅深孔电极结构。本发明工艺简单，可以有效提高产品的良率，适用于工业生产。