一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法

摘要

本发明涉及一种离子注入后晶片的湿法去胶液及光刻胶去除方法，去胶液为无机碱性液，PH值为7-14；去胶液的组成成分为：按质量百分比计，无机碱30-40%，双氧水1-5%，其余为去离子水，将上述各组分混合而成，将离子注入后晶片装入提篮内，浸入步骤上述去胶液中进行去胶处理，以1次/秒的速度上下抖动，抖动行程为2－4cm，去胶处理20－40s后取出，用去离子水冲洗，用氮气吹干晶片。本发明的整个去胶过程无外力介入，单纯的化学浸泡，对晶片表面无损伤，不会引起应力沉淀；配制简单、成本低、去胶效果显著，可快速去除变性后的光刻胶、废液处理简单、去胶液为无机液对环境无污染。