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柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法

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摘要

本发明公开了一种柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法，采用固相烧结法制备Zn

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-26

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/35 申请公布日:20140820 申请日:20140530

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-09-17

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20140530

实质审查的生效
2014-08-20

公开

公开

1. 柔性P掺杂ZnO透明导电氧化物薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN103993284A . 2014-08-20
2. 多层调制掺杂的ZnO－MgZnO透明导电氧化物薄膜 [P] . 中国专利： CN101211990A . 2008-07-02
3. FABRICATION OF N-DOPED ZNO TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILMS [P] . 韩国专利： KR20120114552A . 2012-10-17

机译： N掺杂ZNO透明导电氧化物薄膜的制备
4. Preparation method of transparent conductive complex comprising Yb doped ZnO, transparent conductive composition, coating film and optical device comprising the same [P] . 韩国专利： KR101117797B1 . 2012-03-09

机译：包含Yb掺杂的ZnO的透明导电复合物的制备方法，透明导电组合物，涂膜和包含其的光学器件
5. FABRICATION METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIV OXIDE SUBSTRATE OF SI SOLAR CELL BASED ON AL DOPED ZNO NANO-ROD [P] . 韩国专利： KR101069066B1 . 2011-09-29

机译：基于Al掺杂ZNO纳米棒的太阳能电池透明导电氧化物基质的制备方法