对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法

摘要

本发明公开了对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法，半导体领域。该方法为：根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单元的宽度；根据所述单位存储单元的宽度对所述存储区域进行划分；根据所述单位存储单元的宽度采用相邻单位存储单元对比扫描方式对划分后的所述存储区域进行扫描，获得所述存储区域的缺陷。本发明通过根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单元的宽度，对存储区域进行划分，再采用相邻单位存储单元对比扫描方式进行扫描，实现了对没有分界的存储区域进行缺陷精确扫描的目的。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种存储区域扫描方法。

背景技术

半导体芯片包含不同的功能区域来实现不同的运算功能，如 （LG，CELL，SRAM and DUMMY等）。LG主要实现逻辑运算功能， CELL和SRAM主要实现运算数据的存储功能，DUMMY主要让机 械研磨在芯片的不同区域有良好的研磨率避免晶圆各向异性。随着半 导体技术的不断进步芯片的集成度不断提高，单位尺寸里的器件也越 来越多，结构也越来越复杂，CELL和SRAM作为存储单元是芯片 制造中最关键的区域，其良率受缺陷的影响非常的大，业界为了实现 CELL和SRAM区域的精确扫描都采用array mode（相邻单位存储单 元对比）的方式扫描，（array mode方式是通过扫描设备自动定义重 复区域的最小重复单元（如图1所示），让相邻的最小重复单元之间 进行对比来完成缺陷侦测的）。

在实际的生产中，如图2所示有些产品存在没有分界的SRAM 区域，这种SRAM结构是完全简单重复的，使用现有的机台不能定 义SRAM区域单位宽度的大小，进而不能使用array mode扫描方式 对这些区域进行精确的缺陷扫描，而只能采用相邻die进行对比来鉴 别缺陷是否存在。这会严重的影响扫描的精度，影响SRAM区域的 缺陷检测。

中国专利（CN102856227A）公开了一种晶圆器件单元混合扫描 方法。在一个器件单元集合中，通过不同裸片之间的比对，计算差值， 从而确定缺陷位置。在所述器件单元集合中，在每一个裸片中，通过 裸片中重复出现的器件单元之间的相互比对，计算差值，从而确定缺 陷位置。根据采用D2D模式的扫描步骤中确定的缺陷位置以及采用 C2C模式的扫描步骤中确定的缺陷位置，确定所述器件单元集合中的 所有缺陷位置。当采用D2D模式的扫描步骤和采用C2C模式的扫描 步骤都确定所述器件单元集合的同一区域存在缺陷时，保留采用C2C 模式的扫描步骤中确定的所有缺陷位置；并且对采用D2D模式的扫 描步骤中确定的缺陷位置进行分析，滤除小于单个器件单元面积的缺 陷，而保留其它缺陷位置。

该专利通过器件单元混合扫描技术，在缺陷扫描过程中，同时运 用C2C与D2D的扫描方式，通过精确对比和计算，全面的对晶圆进 行扫描，既保留C2C模式下良好的扫描灵敏度也在加入D2D的扫描 特点后避免了大面积缺陷缺失的问题。但并没有解决无法对没有分界 的存储区域进行缺陷扫描的问题。

中国专利（CN103346101A）公开了一种芯片缺陷的高精度检测 方法和扫描方法，涉及芯片缺陷的扫描方法，所述方法包括以下步骤： 提供一制备有多个芯片的待测晶圆；在所述待测晶圆上选取位于同一 直线上的若干芯片，采用第一入射光源对所述同一直线上的若干芯片 进行第一次扫描，得到第一缺陷检测结果；采用第二入射光源对所述 同一直线上的若干芯片进行第二次扫描，得到第二缺陷检测结果；对 所述第一缺陷检测结果和所述第二缺陷检测结果进行整合，得到完整 的缺陷检测结果；其中，所述第一次扫描与所述第二次扫描的方向相 反。

该专利本发明通过利用待测晶圆的芯片上的不同功能模块对扫 描入射光源的敏感程度的不同的特点，采用两种入射光源对待测晶圆 进行扫描，并且将该两种入射光源整合到同一个扫描过程中，省略了 两种入射光源各自分开扫描而引起的重复进行校正和定位的过程，从 而大大缩短了晶圆缺陷扫描过程的周期，进而提升了缺陷检测的工作 效率。但并没有解决无法对没有分界的存储区域进行缺陷扫描的问 题。

发明内容

本发明为解决无法对没有分界的存储区域进行缺陷扫描的问题， 从而提供对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法的技术方案。

本发明所述对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法，包括下 述步骤：

步骤1.根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单元的 宽度；

步骤2.根据所述单位存储单元的宽度对所述存储区域进行划分；

步骤3.根据所述单位存储单元的宽度采用相邻单位存储单元对 比扫描方式对划分后的所述存储区域进行扫描，获得所述存储区域的 缺陷。

优选的，所述存储区域为静态存储区域。

优选的，步骤1中获得单位存储单元的宽度的具体过程为：

根据公式(1)获得所述宽度M：

M=L*K                    (1)

其中，M为单位存储单元的宽度；L为器件线宽；K为估算系数。

优选的，所述器件线宽L范围为：45nm～90nm。

优选的，所述估算系数K范围为：30～40。

优选的，步骤3中采用相邻单位存储单元对比扫描方式对所述存 储区域进行扫描的具体过程为：

采用相邻单位存储单元对比扫描方式逐对扫描相邻的两个单位 存储单元。

优选的，获得所述存储区域的缺陷的具体过程为：逐一判断每对 相邻的两个所述单位存储单元的信噪比之差是否超出预设的信噪比， 若是，则相邻的两个所述单位存储单元存在缺陷；若否，则相邻的两 个所述单位存储单元没有缺陷。

本发明的有益效果：

本发明通过根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单 元的宽度，对存储区域进行划分，再采用相邻单位存储单元对比扫描 方式进行扫描，实现了对没有分界的存储区域进行缺陷精确扫描的目 的。

附图说明

图1为存在重复分界的存储区域示意图；

图2为不存在重复分界的存储区域示意图；

图3为本发明所述对没有重复分界的存储区域进行扫描的方法 流程图；

图4为单位存储单元的宽度在存储区域的宽度示意图。

附图中：A.单位存储单元的宽度。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本 发明的限定。

如图3所示，本发明提供对没有重复分界的存储区域进行扫描的 方法，包括下述步骤：

步骤1.根据器件线宽获得待扫描的存储区域的单位存储单元的 宽度A，

根据公式(1)获得宽度M：

M=L*K                    (1)

其中，M为单位存储单元的宽度A（计算所得宽度值的小数点后 一位采用进一法处理以满足现有缺陷检测机台的普遍设定，该宽度单 位为微米）；L为器件线宽，L范围为：45nm～90nm；K为估算系数， K范围为：30～40；

步骤2.根据单位存储单元的宽度A对存储区域进行划分（如图4 所示）；

步骤3.根据单位存储单元的宽度A采用array mode扫描方式对 划分后的存储区域进行扫描，采用相邻单位存储单元对比扫描方式逐 对扫描相邻的两个单位存储单元；逐一判断每对相邻的两个单位存储 单元的信噪比之差是否超出预设的信噪比，若是，则相邻的两个单位 存储单元存在缺陷；若否，则相邻的两个单位存储单元没有缺陷，从 而获得存储区域的缺陷。

上述内容中的存储区域为静态存储区域（SRAM）。

在本发明的一种具体实施例中，以线宽为65nm的flash产品为 例，根据公式（1）通过计算可以得到单位存储单元的宽度A为2，将 其定义为该产品缺陷扫描程式带扫描区域中array mode的扫描宽度 实现对flash产品的对比扫描。

以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施 方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用 本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得 到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。