一种抑制掺杂原子在栅介质中扩散的方法

摘要

本发明为一种抑制掺杂原子在栅介质中扩散的方法，涉及用于半导体MOS器件的制造工艺领域，尤其涉及一种有效抑制掺杂原子在栅介质中扩散的方法，包括以下步骤：在基底上制备SiO2栅氧化层；对SiO2栅氧化层进行氮的注入，以形成SiON栅氧化层；在1000～1200℃并伴随纯惰性气体的氛围对SiON栅氧化层进行氮化处理，以修复晶格损伤并形成稳定Si-N键；在400～800℃的氛围下对SiON栅氧化层进行氧化处理，以修复SiO2/Si界面。与传统的高温氮化处理工艺相比，采用本发明制备的SiON栅氧化层不仅具有稳定的氮含量，而且能有效提高栅氧化物氮含量30%左右，从而能有效的抑制硼等掺杂原子在栅介质中的扩散。