EMPT-TI-IGBT器件的结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种EMPT-TI-IGBT器件的结构，包括漂移区、栅极、栅氧、发射区、包围在发射区下部将发射区与漂移区隔开的基区、重掺杂区、位于漂移区下方的微穿通区、相间分布引出集电极的集电区和短路区、及位于基区与漂移区之间的载流子减速层，所述发射区和重掺杂区分别与发射极连接，所述发射区和载流子减速层分别与栅极连接，所述栅极通过栅氧与半导体区域绝缘。本发明提供的EMPT-TI-IGBT器件，有效增加了EMPT-TI-IGBT导通时漂移区的载流子浓度，从而减低了EMPT-TI-IGBT器件的导通压降。