具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成Ge鳍形结构；在Ge鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出Ge鳍形结构；向Ge鳍形结构注入同时含有Si和Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的FinFET，其SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。